중국의 EUV 노광 장비 국산화 추진과 기술적 한계
중국이 반도체 자립을 목표로 극자외선(EUV) 노광 장비 개발에 매진하고 있습니다. 그러나 핵심 부품의 정밀도와 상업적 수율 확보라는 기술적 난관이 여전합니다. 전문가들은 글로벌 선도 기업과의 격차를 좁히기까지 상당한 시간이 소요될 것으로 전망합니다.
주장중국은 반도체 자립을 위해 극자외선(EUV) 노광 장비의 국산화를 추진합니다. 다만 기술적 난도가 높아 상용화 시점에 관해 전문가들 사이에서 의견이 갈립니다. 일부는 2030년을 현실적 목표로 보지만, 다른 이들은 상업적 수준 도달까지 수십 년이 걸릴 것으로 예상합니다.
팩트EUV 노광 장비는 10만 개 이상의 부품으로 구성된 인류 역사상 가장 복잡한 기계 중 하나입니다. 현재 중국의 EUV 광원 출력은 100~150와트 수준에 머뭅니다. 이는 상업적 생산이 가능한 업계 표준인 250~600와트에 미치지 못하는 수치입니다.
팩트장비의 핵심 기술 장벽은 고출력 광원, 원자 단위 정밀도를 가진 반사 거울, 초고순도 포토레지스트 생산입니다. 중국은 이 세 가지 분야 모두에서 네덜란드의 에이에스엠엘(ASML), 독일의 자이스(Zeiss) 등 글로벌 선도 기업과 상당한 기술 격차를 보입니다.
팩트에이에스엠엘의 장비에 사용되는 이산화탄소(CO2) 레이저는 독일의 트럼프(Trumpf)가 제작합니다. 광원 모듈은 사이머(Cymer)가 공급합니다. 중국은 이러한 핵심 공급망에서 배제되어 있으며, 자체 광원 개발 과정에서 발생하는 에너지 손실과 열 관리 문제 해결에 난항을 겪습니다.
팩트중국 파운드리 업체인 에스엠아이씨(SMIC)는 구형 심자외선(DUV) 장비를 활용해 첨단 칩을 생산합니다. 이는 대만 티에스엠씨(TSMC)의 EUV 공정 대비 수율이 현저히 낮습니다. 중국이 현재 기술력으로 대규모 상업적 생산을 지속하기에는 경제적, 기술적 효율성이 부족합니다.
주장중국의 EUV 프로토타입 개발은 독자적 혁신보다는 서방의 수출 통제를 우회한 결과물일 가능성이 큽니다. 칩 워(Chip War)의 저자 크리스 밀러는 글로벌 연구진이 30년에 걸쳐 이룩한 성과를 중국이 단기간에 따라잡기는 어렵다고 지적합니다.
교차검증중국은 해외 인재 영입과 기존 서방 기술의 역설계를 통해 기술 격차를 줄이려 노력합니다. 상하이 광학정밀기계연구소 등은 에이에스엠엘 출신 인력을 영입하여 레이저 생성 플라즈마 기술 등에서 성과를 냈으나, 여전히 핵심 부품의 정밀도와 수율 문제에서 한계를 보입니다.
교차검증폴 트리올로와 같은 기술 정책 전문가는 중국의 EUV 프로토타입이 2년 전 완성되었다는 점을 들어 기술 진보를 긍정적으로 평가합니다. 그러나 댄 허치슨과 같은 분석가는 중국이 추격해도 선도 기업인 에이에스엠엘 역시 계속 발전하고 있어 격차를 좁히기 어렵다고 반박합니다.
주장중국의 반도체 자립 여부는 프로토타입의 존재 여부가 아니라 상업적으로 실행 가능한 수준의 수율과 정밀도를 얼마나 빨리 확보하느냐에 달렸습니다. 이는 중국의 국가적 자원 투입과 서방의 기술 봉쇄 정책이 충돌하는 핵심 전선이 될 것입니다.
출처더 디플로맷(The Diplomat)의 2026년 7월 보도를 통해 중국의 EUV 노광 장비 개발 현황과 기술적 한계를 교차 검증했습니다.
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