ASML 극자외선 노광장비와 중국의 역설계 한계

팩트미국 상무부는 지난 6월 네덜란드 기업 에이에스엠엘(ASML)에 극자외선(EUV) 노광장비가 중국으로 유입된 정황을 통보했습니다. ASML은 해당 의혹을 부인하며, 현재까지 이를 뒷받침할 공개된 증거는 없습니다.

팩트ASML은 1984년 필립스에서 분사된 기업으로, 5나노미터 이하 최첨단 반도체 제조에 필수적인 EUV 노광장비를 독점 생산합니다. 이 장비는 스마트폰, 데이터 센터, 인공지능(AI) 가속기 등 현대 AI 혁명을 지탱하는 핵심 병목 구간입니다.

팩트EUV 장비는 원자 단위보다 작은 오차 범위 내에서 수천 개의 공정이 상호작용하며 작동합니다. 레이저는 초당 5만 번 주석 방울을 타격하여 태양 표면보다 40배 뜨거운 플라즈마를 생성하며, 거울은 피코미터 단위의 정밀도를 유지합니다.

팩트EUV 시스템은 약 5,000개의 공급업체로부터 조달된 10만 개 이상의 부품으로 구성됩니다. 자이스(Zeiss)의 거울, 트럼프(Trumpf)의 레이저 등 각 분야 최고 기업이 ASML과 협력하여 기술 사양을 맞춥니다.

주장EUV 장비의 핵심 난제는 개별 부품 성능이 아니라, 수많은 부품이 결합된 시스템 전체의 안정성입니다. 열, 진동, 전자기 간섭 등 외부 환경 속에서 수개월간 중단 없이 고성능을 유지하려면 고도의 시스템 통합 기술이 필요합니다.

주장시스템 통합은 단순한 과학적 지식을 넘어 수십 년간의 시행착오와 생산 실패, 공급망과의 협업을 통해 축적된 경험의 영역입니다. ASML의 독보적인 경쟁력은 이러한 경험적 지식의 총체에서 비롯됩니다.

주장중국이 EUV 장비나 관련 부품을 확보하더라도 이를 역설계하여 자국 내에서 재생산하는 것은 매우 어렵습니다. 단순한 부품 수준의 학습은 가능할 수 있으나, 전체 시스템 통합 노하우를 복제하는 것은 불가능에 가깝습니다.

교차검증2025년 12월 서구권 언론은 ASML 출신 엔지니어들이 중국 연구소에서 구형 장비를 역설계하여 EUV 프로토타입 제작을 도왔다고 보도했습니다. 이러한 시도는 중국의 기술 자립 의지를 보여주지만, 상업적 경쟁력을 갖춘 대량 생산 체계 구축과는 거리가 있습니다.

교차검증중국의 에스엠아이씨(SMIC)는 7나노미터 칩 제조를 위해 구형 심자외선(DUV) 장비를 사용하는 멀티 패터닝 기술을 활용합니다. 그러나 이 방식은 경제성이 낮고 수율 확보가 어려워 5나노 이하 공정으로 갈수록 경쟁력이 급격히 떨어집니다.

주장반도체 제조 공정의 한계는 장비의 물리적 확보 여부보다 시스템 운용 능력에서 결정됩니다. 중국의 기술 추격은 장비 국산화라는 물리적 과제와 시스템 통합이라는 소프트웨어적 과제 사이에서 난관에 봉착해 있습니다.

주장결론적으로 EUV 장비는 단순한 기계가 아닌 수만 개의 부품이 유기적으로 연결된 거대한 생태계의 산물입니다. 특정 장비의 유입이 중국 반도체 산업의 즉각적인 도약으로 이어지기는 어렵습니다.

출처해당 내용은 워 온 더 록스(War on the Rocks)의 'ASML의 극자외선 노광장비와 중국의 역설계 한계' 보고서를 교차 검증했습니다.